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HJ393A/B/C耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅(qū)動(dòng)器
HJ393A/B/C是耐高溫SiC-MOSFET/IGBT隔離式驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)含DC/DC驅(qū)動(dòng)、變壓器、整流濾波、高速數(shù)字隔離和柵驅(qū)動(dòng)器，實(shí)現(xiàn)單電源+5V供電。該電路內(nèi)部產(chǎn)生隔離的VCC（+13V～+20 V）正電源電壓和VEE（-3V～-6V）負(fù)電源電壓。根據(jù)輸入PWM信號(hào)頻率的不同，分為A、B、C三擋。
HJ393A能將最大800KHz占空比為0-100%的TTL /CMOS電平PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換成隔離的VCC到VEE的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；
HJ393B能將最大800KHz占空比為0-100%的TTL /CMOS電平PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換成隔離的VCC到VEE的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；
HJ393C能將最大1MHz占空比為0-100%的TTL /CMOS電平PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換成隔離的VCC到VEE的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
由于超寬的禁帶能級(jí)，使得用SiC材質(zhì)制作的NMOS管的正向跨導(dǎo)比傳統(tǒng)的Si材質(zhì)的小，故為了達(dá)到額定的ID電流，那么需要的柵源電壓要大一些。另外，為了保證在Tj≥250℃下MOS管能夠可靠關(guān)斷，以及減小SiC-MOSFET的密勒效應(yīng)，保證高溫下輸入低電平的噪聲容限，SiC MOS管需要一個(gè)負(fù)偏壓關(guān)斷，這點(diǎn)類似于IGBT管。該器件可滿足SiC-MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)的要求，確保SiC-MOS管/IGBT管的可靠導(dǎo)通和關(guān)斷。其最大瞬態(tài)峰值驅(qū)動(dòng)電流為4A，且具有較高的隔離度和抗擾度，確保在高頻PWM信號(hào)和高電壓的情況下電路可靠工作。
所屬分類: MOSFET驅(qū)動(dòng)
產(chǎn)品概述
主要特點(diǎn)有：
自帶DC/DC隔離電源，系統(tǒng)只需要提供數(shù)字5V即可1800VDC峰值隔離
高共模瞬變抑制：CMTI≥50KV/μS最高工作溫度可達(dá)200℃
能實(shí)現(xiàn)IGBT管/SiC-MOS管的負(fù)電壓關(guān)斷輸入輸出信號(hào)隔離
充放電時(shí)間快，延遲時(shí)間短：（tr、tf≤50nS）0-100%占空比應(yīng)用,適合高壓大功率開關(guān)應(yīng)用
最高工作頻率HJ393A:500KHz;HJ393B:800KHz;HJ393C:1MHz
瞬態(tài)峰值驅(qū)動(dòng)電流HJ393A：±9A;HJ393B：-2.5A/+5A;J393C:±1.5A
關(guān)鍵詞:
igbt
隔離
hj393b
hj393a
應(yīng)用
峰值
最高
dc
充放電
頻率
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